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DMP4047SK3-13 /MOSFET 40V P-Ch Enh FET 45mOhm -10V
DMP4047SK3-13的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:23.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMP40

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:28.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:28.2 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38.8 ns

典型接通延迟时间:18.5 ns

单位重量:4 g

供应商DMP4047SK3-13
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DMP4047SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET 40V P-Ch Enh FET 45mOhm -10V1:¥4.3053
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1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
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DMP4047SK3-13DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W 类型:P沟道1+:¥2.4
10+:¥1.82
30+:¥1.71
100+:¥1.61
500+:¥1.56
1000+:¥1.54