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DMP4015SPSQ-13 /MOSFET 40V P-Ch Enh FET 25Vgss -100A 1.3W
DMP4015SPSQ-13的规格信息
DMP4015SPSQ-13的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerDI5060-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:8.5 A

Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:47.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMP4015

商标:Diodes Incorporated

下降时间:137.9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:302.7 ns

典型接通延迟时间:13.2 ns

单位重量:96 mg

供应商DMP4015SPSQ-13
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DMP4015SPSQ-1340V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO379.35 Kbytes共6页DMP4015SPSQ-13的PDF下载地址
DMP4015SPSQ-13的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
DMP4015SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8$0.89000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
DMP4015SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 40V P-Ch Enh FET 25Vgss -100A 1.3W1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
2,500:¥3.1075
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DMP4015SPSQ-13DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 9.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:P沟道1+:¥4.01
10+:¥3.03
30+:¥2.85
100+:¥2.66
500+:¥2.58
1000+:¥2.54