系列：DMP

单位重量：851 mg

高度：1.5 mm

长度：4.95 mm

宽度：3.9 mm

最大工作温度：+ 150 C

最小工作温度：- 55 C

安装风格：SMD/SMT

配置：Single Quad Drain Triple Source

下降时间：9.5 ns

典型接通延迟时间：6 ns

上升时间：5 ns

Vgs-栅极-源极电压：20 V

Pd-功率耗散：2.5 W

通道数量：1 Channel

Id-连续漏极电流：- 5.3 A

Vds-漏源极击穿电压：- 30 V

晶体管类型：1 P-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：65 mOhms

通道模式：Enhancement

晶体管极性：P-Channel

典型关闭延迟时间：17.6 ns

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.3A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7.8nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：336pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：65 毫欧 @ 5.3A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC

封装形式Package：SOP

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：5.3A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs