系列：DMP

高度：1.1 mm

长度：3 mm

宽度：1.6 mm

最大工作温度：+ 150 C

最小工作温度：- 55 C

安装风格：SMD/SMT

配置：Single Quad Drain

典型接通延迟时间：6 ns

上升时间：5 ns

Vgs-栅极-源极电压：20 V

Pd-功率耗散：1.25 W

通道数量：1 Channel

Id-连续漏极电流：- 4 A

Vds-漏源极击穿电压：- 30 V

晶体管类型：1 P-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：115 mOhms

通道模式：Enhancement

晶体管极性：P-Channel

典型关闭延迟时间：17.6 ns

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7.8nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：336pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：65 毫欧 @ 4A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

封装形式Package：SOT-26

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：4A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs