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DMN4010LK3-13 /DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4010LK3-13, 39 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
DMN4010LK3-13的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:39 A

最大漏源电压:40 V

最大漏源电阻值:14.5 m0hms

最大栅阈值电压:3V

最大栅源电压:-20 V、+20 V

封装类型:DPAK (TO-252)

安装类型:表面贴装

晶体管配置:

引脚数目:3

通道模式:增强

最大功率耗散:1.6 W

最低工作温度:-55 °C

最高工作温度:+150 °C

每片芯片元件数目:1

长度:6.7mm

高度:2.39mm

宽度:6.2mm

晶体管材料:Si

典型栅极电荷@Vgs:37 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds:1810 pF @ 20 V

典型关断延迟时间:36 ns

典型接通延迟时间:5.1 ns

尺寸:6.7 x 6.2 x 2.39mm

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商DMN4010LK3-13
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