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DMN4008LFG-7 /MOSFET 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC
DMN4008LFG-7的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerDI3333-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:14.4 A

Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:34 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMN40

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:24.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14.1 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:69.7 ns

典型接通延迟时间:8.2 ns

单位重量:72 mg

供应商DMN4008LFG-7
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DMN4008LFG-7Diodes Inc.1+:¥5.75
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DMN4008LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333$0.79000
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50000+:¥1.78
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