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DMN1019USN-13 /MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
DMN1019USN-13的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SC-59-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:9.3 A

Rds On-漏源导通电阻:41 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:530 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:50.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

系列:DMN10

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:16.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:57.6 ns

工厂包装数量:10000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22.2 ns

典型接通延迟时间:7.6 ns

单位重量:8 mg

供应商DMN1019USN-13
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DMN1019USN-13DIODES ZETEX10000+:¥0.77
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100000+:¥0.6699
250000+:¥0.661+:¥2.78
10+:¥1.88
100+:¥1.05
1000+:¥0.79
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DMN1019USN-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 12V 9.3A SC59$0.47000
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DMN1019USN-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 12V 9.3A SC5910 : $0.354
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DMN1019USN-13Diodes IncorporatedMOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W10,000:¥0.82264
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DMN1019USN-13DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.3A 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 9.7A, 4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):680mW 类型:N沟道1+:¥1.7348
10+:¥1.2755
30+:¥1.1911
100+:¥1.1067
500+:¥1.0692
1000+:¥1.0507