制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8

通道数量:4 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:6 A, 4.2 A

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms, 50 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:11.7 nC, 11.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Quad

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMHC3025

晶体管类型:2 N-Channel, 2 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:8.7 ns, 13.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns, 4.9 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17.5 ns, 28.2 ns

典型接通延迟时间:11.2 ns, 7.5 ns

单位重量:74 mg