制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:V-DFN5045-12

通道数量:4 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:2.9 A, 2.3 A

Rds On-漏源导通电阻:111 mOhms, 191 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:9.7 nC, 17.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

配置:Quad

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMHC10H

晶体管类型:2 N-Channel, 2 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:-

下降时间:12.8 ns, 34.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11.1 ns, 14.9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:42.6 ns, 57.4 ns

典型接通延迟时间:10.5 ns, 9.1 ns