制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerDI3333-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:3.1 A, 2.4 A

Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms, 115 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:11.5 nC, 8.9 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.4 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMC6070

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:21 ns, 37.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns, 11.6 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:61 ns, 79.8 ns

典型接通延迟时间:9.6 ns, 7.6 ns