制造商:Diodes Incorporated
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:5.1 A, 3.1 A
Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms, 130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:20.8 nC, 9.5 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.56 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:DMC6040
晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel
商标:Diodes Incorporated
下降时间:4.3 nS, 26.1 nS
产品类型:MOSFET
上升时间:1.8 ns, 6.3 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:20.1 nS, 58.7 nS
典型接通延迟时间:3.6 nS, 3.7 nS
单位重量:74 mg