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DI100N10PQ /MOSFET N-CH 100V 100A 8QFN
DI100N10PQ的规格信息
DI100N10PQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3400 pF @ 30 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)250W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device Package8-QFN (5x6)

Package / Case8-PowerTDFN

供应商DI100N10PQ
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