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DI012N60D1 /MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
DI012N60D1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V

Vgs (Max)±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1210 pF @ 150 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)130W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageTO-252-3, DPak

Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商DI012N60D1
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