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D1213UK /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 6W-7.2V-500MHz SE

D1213UK的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:TT Electronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:20 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

增益:10 dB

输出功率:6 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DBC1-8

配置:Single

高度:3.25 mm

长度:6.47 mm

工作频率:500 MHz

类型:RF Power MOSFET

宽度:8.43 mm

商标:Semelab / TT Electronics

Pd-功率耗散:58 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:0.5 V to 7 V

D1213UK

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	D1213UK	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	D1213UK	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市德州众泰科技有限公司	D1213UK	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82575351 13360063783	廖小姐	询价
深圳市铭泰电子科技有限公司	D1213UK	深圳市罗湖区海丽大厦丽珠阁12E	0755-22725486 13923765194	岳先生	询价
上海传泽电子科技有限公司	D1213UK	上海市松江区乐都西路825弄8990号5层	13381567868	刘经理	询价
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D1213UK及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
D1213UK	METAL GATE RF SILICON FET	SEME-LAB[Seme LAB]		38.4 Kbytes	共4页		D1010UK,D1029UK,D1211UK,D2012UK,D2211UK,D2293UK,D5028UK,D1011UK,D1031UK,D1212UK

D1213UK的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	D1213UK	Semelab / TT Electronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 6W-7.2V-500MHz SE	100:¥325.7225 250:¥318.0385

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