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D1212UK /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP

D1212UK的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:TT Electronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:30 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

增益:10 dB

输出功率:60 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DH

配置:Dual

工作频率:175 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Semelab / TT Electronics

Pd-功率耗散:290 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:25

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V

D1212UK

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
D1212UK	METAL GATE RF SILICON FET	SEME-LAB[Seme LAB]		16.29 Kbytes	共2页		D1010UK,D1029UK,D1211UK,D2012UK,D2211UK,D2293UK,D5028UK,D1011UK,D1031UK,D1213UK

D1212UK的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	D1212UK	Semelab / TT Electronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP	50:¥1,171.9682

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