制造商:TT Electronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:20 A

Vds-漏源极击穿电压:70 V

增益:13 dB

输出功率:125 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DH

配置:Dual

高度:5.08 mm

长度:30.48 mm

工作频率:400 MHz

类型:RF Power MOSFET

宽度:19.17 mm

商标:Semelab / TT Electronics

通道模式:Enhancement

Pd-功率耗散:350 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:25

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V