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D1012UK /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-500MHz PP

D1012UK的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:TT Electronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:15 A

Vds-漏源极击穿电压:70 V

增益:10 dB

输出功率:100 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DH

配置:Dual

高度:5.08 mm

长度:30.48 mm

工作频率:500 MHz

类型:RF Power MOSFET

宽度:19.17 mm

商标:Semelab / TT Electronics

通道模式:Enhancement

Pd-功率耗散:290 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:25

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V

D1012UK

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	D1012UK	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	D1012UK	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	D1012UK	深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	D1012UK	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	D1012UK	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价

D1012UK及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
D1012UK	METAL GATE RF SILICON FET	SEME-LAB[Seme LAB]		50.55 Kbytes	共4页		D1010UK,D1031UK,D1212UK,D2012UK,D2211UK,D2293UK,D5028UK,D1011UK,D1053UK,D1213UK

D1012UK的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	D1012UK	Semelab / TT Electronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-500MHz PP	72:¥1,290.912
Richardson RFPD	D1012UK	TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited	RF POWER TRANSISTOR	1 : $151.14999

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