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CSD13385F5 /MOSFET 12V N-CHANNEL FEMTOFET
CSD13385F5的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PICOSTAR-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:7.1 A

Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.4 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.35 mm

长度:1.53 mm

系列:CSD13385F5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:0.77 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:11.3 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:33 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:0.700 mg

供应商CSD13385F5
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CSD13385F5Texas InstrumentsMOSFET 12V N-Channel NexFET Power MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 1501:¥3.9211
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CSD13385F5TTexas InstrumentsMOSFET 12V N-Channel NexFET Power MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 1501:¥3.3787
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