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CSD13201W10 /MOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
CSD13201W10的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DSBGA-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:1.6 A

Rds On-漏源导通电阻:34 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:650 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:2.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.62 mm

长度:1 mm

系列:CSD13201W10

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1 mm

商标:Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:23 S

下降时间:9.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:14.4 ns

典型接通延迟时间:3.9 ns

单位重量:1.100 mg

供应商CSD13201W10
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深圳市芯幂科技有限公司CSD13201W10深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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集好芯城CSD13201W10深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳诚思涵科技有限公司CSD13201W10深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司CSD13201W10深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司CSD13201W10广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市博浩通科技有限公司CSD13201W10华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
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CSD13201W10及相关型号的PDF资料
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CSD13201W10的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		CSD13201W10Texas InstrumentsFET - 单 NexFET?? 分立半导体产品3000+:￥1.91
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Digi-Key 得捷电子		CSD13201W10Texas InstrumentsMOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA10 : $0.612
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