CS4N80A4HD-G
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道
CS4N80A4HD-G的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.8Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)100W(Tc)
类型N沟道
CS4N80A4HD-G
CS4N80A4HD-G及相关型号的PDF资料
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| CS4N80A4HD-G | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 | 华润华晶 |  | 518.64 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
CS4N80A4HD-G的全球分销商及价格
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 立创商城 | CS4N80A4HD-G | 华润华晶 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥2.31 10+:¥1.75 30+:¥1.65 100+:¥1.54 500+:¥1.5 1000+:¥1.47
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