CS4N65A8HD
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道
CS4N65A8HD的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.5Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)75W(Tc)
类型N沟道
CS4N65A8HD
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| CS4N65A8HD | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道 | 华润华晶 |  | 226.97 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
CS4N65A8HD的全球分销商及价格
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 立创商城 | CS4N65A8HD | 华润华晶 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.5925 10+:¥1.1926 30+:¥1.1192 100+:¥1.0457 500+:¥1.0131 1000+:¥0.997
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