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CS3N90A3H1-G /连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)900V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻5.5Ω @ 1.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)75W(Tc)

类型N沟道

供应商CS3N90A3H1-G
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CS3N90A3H1-G连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道华润华晶华润华晶的LOGO875.58 Kbytes共10页CS3N90A3H1-G的PDF下载地址
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CS3N90A3H1-G华润华晶连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.138
10+:¥1.6382
30+:¥1.5464
100+:¥1.4546
500+:¥1.4138
1000+:¥1.3936