CS3N40A3H
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):400V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.4Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道
CS3N40A3H的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻3.4Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)30W(Tc)
类型N沟道
CS3N40A3H
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| CS3N40A3H | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):400V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.4Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道 | 华润华晶 |  | 189.66 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
CS3N40A3H的全球分销商及价格
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 立创商城 | CS3N40A3H | 华润华晶 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):400V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.4Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥0.967 10+:¥0.7271 30+:¥0.683 100+:¥0.6389 500+:¥0.6194 1000+:¥0.6097
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