CS2N65FA9
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27W(Tc) 类型:N沟道
CS2N65FA9的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻4.5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)27W(Tc)
类型N沟道
CS2N65FA9
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| CS2N65FA9 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27W(Tc) 类型:N沟道 | 华润华晶 |  | 613.62 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
CS2N65FA9的全球分销商及价格
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 立创商城 | CS2N65FA9 | 华润华晶 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.3149 10+:¥0.995 30+:¥0.9363 100+:¥0.8775 500+:¥0.8514 1000+:¥0.8385
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