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CS2N60A3H /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道
CS2N60A3H的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻4.5Ω @ 1A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)35W(Tc)

类型N沟道

供应商CS2N60A3H
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深圳市安富世纪电子有限公司CS2N60A3H深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市仓实科技有限公司CS2N60A3H深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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