图像仅供参考,请参阅规格书
类型:GaAs HEMT
漏源电压 VDS:9 V
闸/源击穿电压:- 6 V
漏极连续电流:1 A
频率:1.8 GHz
增益:9.5 dB
功率耗散:2 W
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-223
封装:Reel
商标:TriQuint Semiconductor
噪声系数:1.72 dB
P1dB:26.5 dBm
产品:RF JFET
工厂包装数量:1000
零件号别名:1014602
ROHS: 无铅