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CLY5 /射频JFET晶体管 GaAs Power MMIC
CLY5的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

类型:GaAs HEMT

漏源电压 VDS:9 V

闸/源击穿电压:- 6 V

漏极连续电流:1 A

频率:1.8 GHz

增益:9.5 dB

功率耗散:2 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223

封装:Reel

商标:TriQuint Semiconductor

噪声系数:1.72 dB

P1dB:26.5 dBm

产品:RF JFET

工厂包装数量:1000

零件号别名:1014602

ROHS: 无铅

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CLY5TriQuint SemiconductorTrans JFET 9V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
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