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CLY2 /射频JFET晶体管 GaAs LN MMIC
CLY2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

类型:GaAs HEMT

漏源电压 VDS:9 V

闸/源击穿电压:- 6 V

漏极连续电流:650 mA

频率:1.8 GHz

增益:14.5 dB

功率耗散:900 mW

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:MW-6

封装:Reel

商标:TriQuint Semiconductor

P1dB:23.5 dBm

产品:RF JFET

工厂包装数量:3000

零件号别名:1014601

ROHS: 无铅

供应商CLY2
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CLY2TriQuint SemiconductorTrans JFET 9V 600mA 6-Pin MW T/R
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