CJ3439KDW
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):750mA,660mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道和P沟道
CJ3439KDW的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)750mA,660mA
栅源极阈值电压1.1V @ 250uA
漏源导通电阻520mΩ @ 1A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)-
类型N沟道和P沟道
CJ3439KDW
CJ3439KDW的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | CJ3439KDW | CJ(江苏长电/长晶) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):750mA,660mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道和P沟道 | 5+:¥0.423028 50+:¥0.31807 150+:¥0.298792 500+:¥0.279514 2500+:¥0.270946 5000+:¥0.266712
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