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CJ3139K /连续漏极电流(Id)(25°C 时):660mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:P沟道
CJ3139K的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)660mA

栅源极阈值电压1.1V @ 250uA

漏源导通电阻520mΩ @ 1A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)150mW

类型P沟道

供应商CJ3139K
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现代芯城(深圳)科技有限公司CJ3139Kwww.nowchip.com0755-27381274
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CJ3139K的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
CJ3139KDW-GComchip TechnologyMOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363$0.43000
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CJ3139KDW-GComchip TechnologyMOSFET MOSFET DUAL P-CHANNEL1:¥4.4522
10:¥2.5651
100:¥1.3334
1,000:¥0.9379
3,000:¥0.7684
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CJ3139KCJ(江苏长电/长晶)连续漏极电流(Id)(25°C 时):660mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:P沟道10+:¥0.249662
100+:¥0.190356
300+:¥0.179463
1000+:¥0.16857
5000+:¥0.163729
10000+:¥0.161337
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立创商城
CJ3139KDWCJ(江苏长电/长晶)连续漏极电流(Id)(25°C 时):660mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:双P沟道10+:¥0.352523
100+:¥0.265058
300+:¥0.248993
1000+:¥0.232928
5000+:¥0.225788
10000+:¥0.22226
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CJ3139KWCJ(江苏长电/长晶)连续漏极电流(Id)(25°C 时):660mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:P沟道20+:¥0.16135
200+:¥0.117867
600+:¥0.10988
2000+:¥0.101894
10000+:¥0.098344
20000+:¥0.09659