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CES2307 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：78mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道
CES2307的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.2A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻78mΩ @ 3.2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.25W

类型P沟道

供应商CES2307
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现代芯城（深圳）科技有限公司CES2307www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市赛美科科技有限公司CES2307广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳诚思涵科技有限公司CES2307深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市宸远科技有限公司CES2307深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
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深圳市瑞浩芯科技有限公司CES2307.深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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深圳市莱杰信科技有限公司CES2307深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號0755-28183929
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深圳市惊羽科技有限公司CES2307深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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Chip One Exchange		CES2307CET价格未公开
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立创商城		CES2307CET(华瑞)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：78mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道5+:￥0.5003
50+:￥0.37535
150+:￥0.3524
500+:￥0.32945
2500+:￥0.31925
5000+:￥0.31421
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立创商城		CES2307VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:￥0.497749
50+:￥0.367801
150+:￥0.343933
500+:￥0.320065
2500+:￥0.309457
5000+:￥0.304215
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立创商城		CES2307ACET(华瑞)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：78mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道5+:￥0.365973
50+:￥0.265603
150+:￥0.247167
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2500+:￥0.220539
5000+:￥0.21649
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立创商城		CES2307BCET(华瑞)MOS(场效应管)5+:￥0.399252
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500+:￥0.255738
2500+:￥0.24717
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