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CES2301 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道
CES2301的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.8A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻100mΩ @ 2.8A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W

类型P沟道

供应商CES2301
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CES2301CET(华瑞)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道5+:¥0.475909
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CES2301VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:¥0.402028
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