制造商:Cree, Inc.

产品种类:分立半导体模块

RoHS:是

产品:Power MOSFET Modules

类型:H-Bridge MOSFET Module

Vf - 正向电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:- 5 V, 23 V

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:Module

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

封装:Bulk

配置:Half-Bridge

高度:10 mm

长度:110 mm

宽度:65 mm

商标:Wolfspeed / Cree

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Id-连续漏极电流:444 A

If - 正向电流:350 A

Pd-功率耗散:3 kW

产品类型:Discrete Semiconductor Modules

Rds On-漏源导通电阻:7.6 mOhms

工厂包装数量:1

子类别:Discrete Semiconductor Modules

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V