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CAS120M12BM2 /分立半导体模块 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module
CAS120M12BM2的规格信息
CAS120M12BM2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Cree, Inc.

产品种类:分立半导体模块

RoHS:

产品:Power Semiconductor Modules

类型:H-Bridge MOSFET Module

Vf - 正向电压:-

Vr - 反向电压 :-

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:Module

最大工作温度:-

封装:Bulk

配置:Half-Bridge

高度:30 mm

长度:106.4 mm

输出电流:-

宽度:61.4 mm

商标:Wolfspeed / Cree

栅极触发电流-Igt:-

保持电流Ih最大值:-

典型延迟时间:-

Id-连续漏极电流:193 A

If - 正向电流:-

Ifsm - 正向浪涌电流:-

工作电源电压:-

产品类型:Discrete Semiconductor Modules

Rds On-漏源导通电阻:13 mOhms

工厂包装数量:1

子类别:Discrete Semiconductor Modules

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

供应商CAS120M12BM2
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50+:¥2784.11
100+:¥2784.11
250+:¥2710.91
500+:¥2804.51
1000+:¥2736.091+:¥2723.78
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CAS120M12BM2Cree1+:¥2472.24
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CAS120M12BM2Cree/WolfspeedMOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE$328.75000
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CAS120M12BM2Wolfspeed / Cree分立半导体模块 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module1:¥2,535.72
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CAS120M12BM2Cree1+:¥2472.241+:¥2784.11
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