特色产品：CAS100H12AM1 Half-Bridge Module

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 模块

系列：Z-FET??

包装：散装

FET 类型：2 个 N 通道（半桥）

FET 功能：碳化硅 （SiC）

漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：168A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 20A，20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.1V @ 50mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：9500pF @ 800V

功率 - 最大值：568W

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

供应商器件封装：模块