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BUL1102EFP /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor
BUL1102EFP的规格信息
BUL1102EFP的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:450 V

发射极 - 基极电压 VEBO:12 V

最大直流电集电极电流:4 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BUL1102E

高度:16.4 mm

长度:10.4 mm

封装:Tube

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

集电极连续电流:4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V

Pd-功率耗散:30 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

单位重量:2.565 g

供应商BUL1102EFP
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BUL1102EFPHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO219.95 Kbytes共6页BUL1102EFP的PDF下载地址BUH515,BUL38D,ST2310HI,STX83003,BUL59,SBP13009,BUL804,BUL805,BUH515D,BUL39D
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BUL1102EFPSTMicroelectronics晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品1+:¥8.55
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BUL1102EFPSTMicroelectronics晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品1+:¥8.55
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Avnet Express
BUL1102EFPSTMicroelectronicsIGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube2,000 : $0.5052
9,999 : $0.4787
19,999 : $0.4674
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BUL1102EFPSTMicroelectronicsTRANS NPN 450V 4A TO-220FP10 : $0.988
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Digi-Key 得捷电子
BUL1102EFPSTMicroelectronics晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品1+:¥8.55
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BUL1102EFPSTMicroelectronicsTRANSISTOR NPN TO-220FP
RoHS : Compliant
1 : $8.0
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element14 e络盟电子
BUL1102EFPSTMicroelectronics晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品1+:¥8.55
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Mouser 贸泽电子
BUL1102EFPSTMicroelectronics双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor1:¥8.4524
10:¥7.2094
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Mouser 贸泽电子
BUL1102EFPSTMicroelectronics晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品1+:¥8.55
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