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BUL1102E /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor
BUL1102E的规格信息
BUL1102E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:450 V

发射极 - 基极电压 VEBO:12 V

最大直流电集电极电流:4 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BUL1102E

高度:15.75 mm

长度:10.4 mm

封装:Tube

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

集电极连续电流:4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V

Pd-功率耗散:70 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

单位重量:6 g

供应商BUL1102E
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上海山峻电子有限公司BUL1102E上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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BUL1102EHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO209.95 Kbytes共6页BUL1102E的PDF下载地址BUH515,BUL38D,ST2310HI,STX83003,BUL59,MJD49T4,BULD1101ET4,BUL805,BUH515D,BUL39D
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Am2
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BUL1102EFPSTMicroelectronicsIGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube2,000 : $0.5052
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Mouser 贸泽电子
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