FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：37A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17.1nC @ 5V

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2703pF @ 25V

功率耗散（最大值）：95W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：27 毫欧 @ 10A，5V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳：SC-100，SOT-669

Id-连续漏极电流：37A

Pd-功率耗散：95W

Qg-栅极电荷：17.1nC

Rds On-漏源导通电阻：22.2mOhms

Vds-漏源极击穿电压：80V

Vgs - 栅极-源极电压：15V

Vgs th-栅源极阈值电压：1.7V

上升时间：17.2ns

下降时间：15.3ns

典型关闭延迟时间：23.9ns

典型接通延迟时间：11.6ns

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：LFPAK56-5

晶体管极性：N-Channel

晶体管类型：1N-Channel

最大工作温度：+175C

最小工作温度：-55C

通道数量：1Channel

通道模式：Enhancement

配置：Single

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs