FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：46A

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：18nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1992pF @ 25V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：17.3 毫欧 @ 20A，10V

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳：SC-100，SOT-669

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs