BUK9M12-60E,115
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):54A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.1V @ 1mA 漏源导通电阻:11mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:N沟道
BUK9M12-60E,115的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)54A(Tc)
栅源极阈值电压2.1V @ 1mA
漏源导通电阻11mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)79W(Tc)
类型N沟道
BUK9M12-60E,115
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BUK9M12-60E,115 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):54A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.1V @ 1mA 漏源导通电阻:11mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:N沟道 | Nexperia(安世) |  | 720.46 Kbytes | 共13页 |  | 无 |
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 立创商城 | BUK9M12-60E,115 | Nexperia(安世) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):54A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.1V @ 1mA 漏源导通电阻:11mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥4.94 10+:¥3.63 30+:¥3.38 100+:¥3.14 500+:¥3.04 1000+:¥2.98
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