FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：17A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：26 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2297pF @ 25V
功率 - 最大值：53W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-1205，8-LFPAK56
供应商器件封装：LFPAK56D
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs