制造商:WeEn Semiconductors
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB-3
晶体管极性:NPN
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V
发射极 - 基极电压 VEBO:19 V
集电极—射极饱和电压:0.6 V
最大直流电集电极电流:4 A
最大工作温度:+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值:100
商标:WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min:25
Pd-功率耗散:80 W
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:1000
子类别:Transistors
零件号别名:934064985127
单位重量:6 g