制造商:WeEn Semiconductors

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V

集电极—基极电压 VCBO:700 V

集电极—射极饱和电压:0.25 V

最大直流电集电极电流:4 A

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:32

高度:9.4 mm

长度:10.3 mm

宽度:4.7 mm

商标:WeEn Semiconductors

集电极连续电流:4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:10

Pd-功率耗散:80 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

零件号别名:934055158127 BUJ103A

单位重量:6 g