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BSV79 /IC FET N-CH TO-18
BSV79的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装散装

系列-

零件状态停產

FET 类型N 通道

电压 - 击穿(V(BR)GSS)N 通道

漏源电压(Vdss)40V

不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)20mA @ 15V

漏极电流(Id) - 最大值20mA @ 15V

不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)2V @ 1nA

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)5pF @ 10V

电阻 - RDS(开)40 Ohms

功率 - 最大值350mW

工作温度-65°C ~ 175°C(TJ)

安装类型通孔

封装/外壳TO-206AA,TO-18-3 金属罐

供应商器件封装TO-18

供应商BSV79
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