系列：OptiMOS™

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.5A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 8µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：5.7nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：228pF @ 15V

Vgs（最大值）：±12V

功率耗散（最大值）：560mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：175 毫欧 @ 1.5A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-SOT363-6

封装形式Package：SOT-363

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：1.5A

漏源电压（Vdss）：20V

供应商器件封装：PG-SOT363-6

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：15V

无铅情况/RoHs：否