制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:否

Id-连续漏极电流:120 mA

Vds-漏源极击穿电压:- 200 V

Rds On-漏源导通电阻:20000 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:800 mW

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:SOT-23-3

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:8 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:8 ns

工厂包装数量:500

典型关闭延迟时间:18 ns

典型接通延迟时间:14 ns