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BSS138BK,215 /MOSFET N-CH 60 V 360 mA
BSS138BK,215的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:360 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:480 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:0.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:420 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

产品:MOSFET Small Signal

系列:BSS138BK

晶体管类型:1 N-Channel Trench MOSFET

商标:Nexperia

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:5 ns

单位重量:1.400 g

供应商BSS138BK,215
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BSS138BK,215连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.6V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 350mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO1.55 Mbytes共16页BSS138BK,215的PDF下载地址
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BSS138BK,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 60 V 360 mA1+:¥2.03
10+:¥1.3499
100+:¥0.56
1000+:¥0.38
3000+:¥0.29
9000+:¥0.28
24000+:¥0.27
45000+:¥0.27
99000+:¥0.253000+:¥0.160121000+:¥0.32
105000+:¥0.3
210000+:¥0.29
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Future(富昌)
BSS138BK,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 60 V 360 mA1+:¥2.03
10+:¥1.3499
100+:¥0.56
1000+:¥0.38
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24000+:¥0.27
45000+:¥0.27
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Mouser 贸泽电子
BSS138BK,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 60 V 360 mA1+:¥2.03
10+:¥1.3499
100+:¥0.56
1000+:¥0.38
3000+:¥0.29
9000+:¥0.28
24000+:¥0.27
45000+:¥0.27
99000+:¥0.25
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Mouser 贸泽电子
BSS138BK,215NexperiaMOSFET N-CH 60 V 360 mA1:¥2.6103
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
3,000:¥0.39211
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Verical
BSS138BK,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 60 V 360 mA1+:¥2.03
10+:¥1.3499
100+:¥0.56
1000+:¥0.38
3000+:¥0.29
9000+:¥0.28
24000+:¥0.27
45000+:¥0.27
99000+:¥0.253000+:¥0.160121000+:¥0.32
105000+:¥0.3
210000+:¥0.291+:¥0.22
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立创商城
BSS138BK,215Nexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):360mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.6V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 350mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道10+:¥0.313764
100+:¥0.24064
300+:¥0.227209
1000+:¥0.213778
5000+:¥0.207808
10000+:¥0.204859