FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：140mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.8V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 130µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.8nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：109pF @ 25V

功率耗散（最大值）：500mW（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：11 欧姆 @ 140mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-SC-59

封装/外壳：PG-SC59-3

通道类型：P

最大连续漏极电流：140 mA

最大漏源电压：250 V

最大漏源电阻值：20 0hms

最大栅阈值电压：1V

最小栅阈值电压：2V

最大栅源电压：20 V

封装类型：SC-59

晶体管配置：单

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：500 mW

典型接通延迟时间：6.4 ns

典型关断延迟时间：75 ns

典型输入电容值@Vds：82 pF @ -25 V

典型栅极电荷@Vgs：3.6 nC @ 10 V

系列：BSR92P

每片芯片元件数目：1

最低工作温度：-55 °C

宽度：1.6mm

长度：3mm

高度：1.1mm

正向跨导：0.3S

正向二极管电压：1.2V

尺寸：3 x 1.6 x 1.1mm

汽车标准：AEC-Q101

最高工作温度：+150 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs