FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，2.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：750mV @ 30µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.7nC @ 2.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1447pF @ 10V

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 3.7A，2.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-SC-59

封装/外壳：PG-SC59-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：3.7 A

最大漏源电压：20 V

最大漏源电阻值：32 m0hms

最大栅阈值电压：0.75V

最小栅阈值电压：0.3V

最大栅源电压：-8 V、+8 V

封装类型：SOT-346 (SC-59)

晶体管配置：单

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：小信号

最大功率耗散：500 mW

宽度：1.1mm

最高工作温度：+150 °C

最低工作温度：-55 °C

高度：1.6mm

每片芯片元件数目：1

正向跨导：16S

正向二极管电压：1.1V

系列：OptiMOS 2

尺寸：3 x 1.1 x 1.6mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：4.7 nC @ 2.5 V

典型输入电容值@Vds：1013 pF @ 10 V

典型关断延迟时间：26 ns

典型接通延迟时间：9.8 ns

长度：3mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs