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BSP372NH6327 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.8A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：1.8V @ 218uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道
BSP372NH6327的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）1.8A

栅源极阈值电压1.8V @ 218uA

漏源导通电阻230mΩ @ 1.8A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.8W

类型N沟道

供应商BSP372NH6327
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现代芯城（深圳）科技有限公司BSP372NH6327www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市成源运利电子科技有限公司BSP372NH6327深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市高捷芯城科技有限公司BSP372NH6327深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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立创商城		BSP372NH6327Infineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.8A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：1.8V @ 218uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道1+:￥6.08
10+:￥4.58
30+:￥4.3
100+:￥4.03
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