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BSP295H6327XTSA1 /MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
BSP295H6327XTSA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:1.8 A

Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:14 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.6 mm

长度:6.5 mm

系列:BSP295

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.5 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:0.8 S

下降时间:19 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.9 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:5.4 ns

零件号别名:BSP295 H6327 SP001058618

单位重量:112 mg

供应商BSP295H6327XTSA1
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深圳市河锋鑫科技有限公司BSP295H6327XTSA1华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市芯幂科技有限公司BSP295H6327XTSA1深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市瑞浩芯科技有限公司BSP295H6327XTSA1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市科思奇电子科技有限公司BSP295H6327XTSA1上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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BSP295H6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO442.53 Kbytes共8页BSP295H6327XTSA1的PDF下载地址
BSP295H6327XTSA1连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.8V @ 400uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO442.53 Kbytes共8页BSP295H6327XTSA1的PDF下载地址
BSP295H6327XTSA1的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
BSP295H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-31:¥6.4523
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BSP295H6327XTSA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.8V @ 400uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道1+:¥6.24
10+:¥4.7
30+:¥4.41
100+:¥4.13
500+:¥4
1000+:¥3.94